珪素膜の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091255
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264438
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】珪素の結晶化を助長する金属元素を用いた結晶性珪素膜の作製方法において、当該金属元素の影響をできるだけ抑える技術を提供する。【構成】非晶質珪素膜103の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素(例えばニッケル)を接して保持させた状態において、紫外光またはXeイオンの照射を行い、当該金属元素が非晶質珪素膜中に拡散しない状態で、非晶質珪素膜103の表面に金属シリサイド層を形成する。そして、シリサイド化していない金属成分を除去した後に加熱処理を行い、結晶性珪素膜を得る。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜に直接、あるいは間接的に結晶化を助長する金属元素からなる薄膜を接しせしめる工程と、前記非晶質珪素膜及びそれに接して設けられた結晶化を助長する金属元素からなる薄膜に熱以外のエネルギ-を与えて前記2つの膜の界面においてシリサイドを形成せしめる工程と、未反応の結晶化を助長する金属元素からなる薄膜をエッチングして除去する工程と、前記非晶質珪素及びその表面に設けられたシリサイドとを同時に加熱して結晶化せしめる工程とを有することを特徴とする珪素膜の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 Z , H01L 21/268 Z , H01L 21/26 L , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204775 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-094133
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-065577 出願人：シャープ株式会社

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