特許
J-GLOBAL ID:200903030518783167

レジスト表面疎水化用樹脂、その製造方法及び該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-066747
公開番号(公開出願番号):特開2009-197207
出願日: 2008年03月14日
公開日(公表日): 2009年09月03日
要約:
【課題】液浸露光によるパターニングにおいて、良好にレジスト膜表面を疎水化し、液浸液追随性を良好とするとともに、塗布欠陥、現像欠陥の抑制に効果を示す樹脂、及び、その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】表面に偏在化してレジスト膜の表面を疎水化する、レジスト組成物に添加する樹脂であって、ゲルパーミッションクロマトグラフィー(GPC)により測定される分子量分布において、分子量3万以上の高分子量成分のピーク面積が、全体のピーク面積に対して0.1%以下であることを特徴とする樹脂その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
表面に偏在化してレジスト膜の表面を疎水化する、レジスト組成物に添加する樹脂であって、ゲルパーミッションクロマトグラフィー(GPC)により測定される分子量分布において、分子量3万以上の高分子量成分のピーク面積が、全体のピーク面積に対して0.1%以下であることを特徴とする樹脂。
IPC (7件):
C08F 20/24 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/023 ,  C08F 2/04 ,  C08F 2/38 ,  C08F 6/06 ,  H01L 21/027
FI (8件):
C08F20/24 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/023 ,  C08F2/04 ,  C08F2/38 ,  C08F6/06 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 515D
Fターム (68件):
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB34 ,  2H025CC20 ,  4J011BB01 ,  4J011BB02 ,  4J011BB06 ,  4J011BB09 ,  4J011BB12 ,  4J011HA03 ,  4J011HB02 ,  4J011HB06 ,  4J011HB14 ,  4J011HB22 ,  4J011NA18 ,  4J011NA25 ,  4J011NB01 ,  4J011NB04 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB04Q ,  4J100AL03Q ,  4J100AL04Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL24Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA12Q ,  4J100BA14R ,  4J100BA15R ,  4J100BA18P ,  4J100BA59Q ,  4J100BA72P ,  4J100BA72Q ,  4J100BA81P ,  4J100BB11P ,  4J100BB11Q ,  4J100BB17P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA04 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38 ,  5F046AA28
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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