特許
J-GLOBAL ID：200903049414560665
磁気記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-133445
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317739
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】微細化に対して有効な磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】磁気記憶装置は、第1書き込み用配線WLと第2書き込み用配線BLの交差位置に設けられ、磁化容易軸が前記第1書き込み用配線WLの延設方向に配置された磁気抵抗効果素子MTJと、前記磁気抵抗効果素子を他の配線層に接続する第1導電層15とを具備し、前記導電層15および前記磁気抵抗効果素子MTJの側壁は少なくとも一部20-1、20-2が連続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1書き込み用配線と第2書き込み用配線の交差位置に設けられ、磁化容易軸が前記第1書き込み用配線の延設方向に配置された磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子を他の配線層に接続する第1導電層とを具備し、
前記導電層および前記磁気抵抗効果素子の側壁は少なくとも一部が連続すること
を特徴とする磁気記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
