特許
J-GLOBAL ID：200903079537028581
磁気記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-208089
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064075
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】データ保持特性を維持しながら書き込み電流を低減する磁気記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】マトリクス状に配置される複数の磁気抵抗効果素子MTJ<00>〜MTJ<22>を備え、前記各磁気抵抗効果素子は、前記磁気抵抗効果素子の長軸11及び短軸12をそれぞれ長径および短径とする楕円に実質的に内接したパターン形状を有し、隣接する前記磁気抵抗効果素子の前記長軸方向の配置周期13は、前記短軸方向の配置周期14よりも大きいことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置される複数の磁気抵抗効果素子を備え、前記各磁気抵抗効果素子は、前記磁気抵抗効果素子の長軸及び短軸をそれぞれ長径および短径とする楕円に実質的に内接したパターン形状を有し、
隣接する前記磁気抵抗効果素子の前記長軸方向の配置周期は、前記短軸方向の配置周期よりも大きいこと
を特徴とする磁気記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA19
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083PR01
, 5F083PR03
, 5F083PR40
