特許
J-GLOBAL ID：200903030568563338

有機半導体構造物、その製造方法及び有機半導体装置

発明者：
半那 純一

半那 純一 について

, 
飯野 裕明

飯野 裕明 について

, 
前田 博己

前田 博己 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-107515
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294530
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 大きな面積において均一な電荷輸送特性を持つ有機半導体層を形成してなる有機半導体構造物の製造方法、その製造方法により製造された有機半導体構造物及び有機半導体装置を提供する。【解決手段】 基材上に液晶性有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体構造物の製造方法であって、基材に撥油性領域及び当該撥油性領域で囲まれた親油性領域を形成する工程と、液晶性有機半導体材料及び溶媒を含む有機半導体層形成溶液をその親油性領域に塗布する工程と、親油性領域に塗布された有機半導体層形成溶液中の溶媒を蒸発させて液晶性有機半導体材料を結晶化させる工程とにより有機半導体層を形成して、上記課題を解決した。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基材上に液晶性有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体構造物の製造方法であって、 前記基材に撥油性領域及び当該撥油性領域で囲まれた親油性領域を形成する工程と、前記液晶性有機半導体材料及び溶媒を含む有機半導体層形成溶液を前記親油性領域に塗布する工程と、前記親油性領域に塗布された前記有機半導体層形成溶液中の前記溶媒を蒸発させて前記液晶性有機半導体材料を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする有機半導体構造物の製造方法。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/208 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618A
Fターム (34件)：
5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053GG10 ,  5F053HH04 ,  5F053PP20 ,  5F110AA28 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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