特許
J-GLOBAL ID：200903062859700480

薄膜形成方法、電子デバイスの形成方法

発明者：
森井 克行

森井 克行 について

, 
瀧口 宏志

瀧口 宏志 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266958
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234522
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】低分子化合物の薄膜を形成する。【解決手段】シリコン基板1の表面の薄膜形成領域を、薄膜形成材料との親和性が高い表面状態にする。そのために、前記薄膜形成領域に、薄膜形成材料を構成する分子と共通の原子団を有する自己組織化膜5を形成する。その後に、シリコン基板1の表面に対して、インクジェット法で溶液の吐出を行う。
請求項（抜粋）：
薄膜形成材料が溶媒に溶解している溶液を吐出することにより、前記溶液の液滴を基板上に配置し、前記液滴から溶媒を蒸発させることにより前記基板上に薄膜を形成する方法において、前記基板上を前記薄膜形成材料との親和性を有する表面状態に処理した後に、前記溶液の吐出を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (6件)：
H01L 51/00 ,  H01L 21/208 ,  C08G 61/10 ,  C08G 61/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
H01L 21/208 Z ,  C08G 61/10 ,  C08G 61/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/28
Fターム (19件)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BB01 ,  4J032CA03 ,  4J032CA22 ,  4J032CA54 ,  4J032CB01 ,  4J032CG01 ,  4J032CG06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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