特許
J-GLOBAL ID：200903030642838727
p型GaN層に透光性接触部を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007398
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】p型GaN層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法を提供する。【解決手段】オプトエレクトロニクス素子(10)の有するp型GaN層(20,30)の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、NiO、II族金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。
請求項（抜粋）：
光源の透光性接触部を形成する方法であって、オプトエレクトロニクス素子の層の1つとしてp型窒化ガリウム(GaN)を少なくとも1層形成する工程と、前記p型GaN層の表面に透光性の導電層を形成する為に金属を選択する工程と、選択した前記金属を前記表面へと酸化した材料として成膜する工程とを含み、選択した前記金属が、該金属のp型GaN層への成膜前又は成膜中に酸化されることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323
H01L 33/00 C
, H01S 5/042 610
, H01S 5/323
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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