特許
J-GLOBAL ID：200903042833483595
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098687
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341039
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】半導体発光素子の高抵抗のP型単結晶表面に設けられ、電気抵抗が低く、かつ、発光素子から発光した光の透過率の良い、P型電極、およびその製造方法を得ること。【解決手段】電極材料として電気抵抗が低く、光透過率の良いマグネシウムないしその酸化物を使用する。更に、マグネシウム膜、酸素を含むマグネシウム膜とチタン等の膜を積層して形成することにより、マグネシウム等の膜形成を安定して行い、経時変化の少ない電極膜を得る。一方、ワイヤボンディング等の為に最小限面積の金を形成する。
請求項（抜粋）：
N型半導体層と、前記N型半導体層上に直接または間接に接合形成されたP型半導体層と、最外層の前記N型半導体層の表面の一部に形成された下部電極と最外層の前記P型半導体層の表面ほぼ全面に形成された第一の薄膜と、前記第一の薄膜上の一部に形成された上部電極とを有し、前記第一の薄膜が酸素を含む金属膜であることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
