特許
J-GLOBAL ID：200903030703275747

マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法

発明者：
菅原 稔

菅原 稔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-044015
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236074
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】極短紫外光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響を考慮したマスクパターンの補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。【解決手段】極短紫外光がマスク面上に垂直入射した場合または垂直入射とみなせる角度で入射した場合に当該極短紫外光を反射して得られる光のエネルギーE0を求める工程(S102)と、前記極短紫外光がマスク面上に斜め入射した場合に当該極短紫外光を反射して得られる光のエネルギーE1を求める工程(S103)と、前記エネルギーE0と前記エネルギーE1との比較結果に基づいて前記マスクパターンに対する補正を行う工程(S104)とを経て、マスクパターンに対する補正を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
極短紫外光の反射作用を有するマスクブランクス膜と、当該マスクブランクス膜上にパターニングされて前記極短紫外光を吸収する吸収膜とを備えてなり、マスク面上に斜め入射する前記極短紫外光を反射することで前記吸収膜によって形成されるマスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスクパターン補正方法であって、 前記極短紫外光がマスク面上に垂直入射した場合または垂直入射とみなせる角度で入射した場合に当該極短紫外光を反射して得られる光のエネルギーE0を求める工程と、 前記斜め入射の角度で前記極短紫外光がマスク面上に入射した場合に当該極短紫外光を反射して得られる光のエネルギーE1を求める工程と、 前記エネルギーE0と前記エネルギーE1との比較結果に基づいて前記マスクパターンに対する補正を行う工程と を含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F1/16
FI (3件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/08 A ,  G03F1/16 A
Fターム (7件)：
2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  5F046AA25 ,  5F046GA16 ,  5F046GD10 ,  5F046GD20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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