CVD装置のクリーニング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-025599
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224858
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】CVD装置を用いる成膜で、高品質で生産性の高い薄膜が形成できるようにする。【解決手段】CVD法により基板上に薄膜成膜を行うCVD処理装置において、上記CVD処理装置内にフッ素含有のガスを導入してプラズマを発生させチャンバー内を洗浄した後、このチャンバー内のコーティング処理と水素プラズマ処理とを順次施すようにする。ここで、上記フッ素含有のガスとしてNF3 ガスが用いられる。このようにして、CVD装置内をクリーニングしてから薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

CVD法により基板上に薄膜の形成を行うCVD処理装置において、前記CVD処理装置内にフッ素含有のガスを導入してプラズマを発生させ反応室内を洗浄した後、前記反応室内のコーティング処理と水素プラズマ処理とを順次施すことを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , H01L 21/31 C , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-188043 出願人：株式会社東芝
CVDチャンバを清掃した後に調整するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-125127 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-090275 出願人：株式会社東芝

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