半導体積層膜、及び半導体積層膜作製用装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：須山佐一 , 阿相順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189593
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021674
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】Si単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないSi1-XGeX膜を有する半導体多層膜を提供する。【解決手段】Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0<X≦1)膜とを具えた半導体積層膜において、前記Si1-XGeX膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Si1-XGeX膜の表面欠陥密度が104/cm2以下となるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0<X≦1)膜とを具えた半導体積層膜であって、前記Si1-XGeX膜はスパッタリング法で形成するとともに、前記Si1-XGeX膜の表面欠陥密度が104/cm2以下であることを特徴とする、半導体積層膜。

IPC (4件)：

H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/20 , C23C 14/06

FI (4件)：

H01L21/203 S , H01L21/205 , H01L21/20 , C23C14/06 E

Fターム (41件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA35 , 4K029BA41 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC02 , 4K029DC16 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029FA06 , 5F045AA19 , 5F045AB01 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL08 , 5F103LL09 , 5F103RR06 , 5F152LL03 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LN03 , 5F152LN14 , 5F152LN15 , 5F152NN03 , 5F152NP04 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体薄膜製造装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-282958 出願人：国立大学法人東京農工大学
テンシル歪み有する局所「Silicon-On-Nothing」ウエーハもしくは「Silicon-On-Insulator」を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-082823 出願人：シャープ株式会社
半導体デバイス製造のためのゲート材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-547063 出願人：アンバーウェーブシステムズコーポレイション

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