特許

J-GLOBAL ID：200903030744499994

半導体積層膜、及び半導体積層膜作製用装置

発明者： 須田 良幸 ,  花房 宏明
出願人/特許権者： 国立大学法人東京農工大学
代理人 (2件)： 須山 佐一 ,  阿相 順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189593
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021674
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】Si単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないSi1-XGeX膜を有する半導体多層膜を提供する。【解決手段】Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0 請求項（抜粋）：

Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成されたSi1-XGeX(0 IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

H01L21/203 S ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C23C14/06 E

Fターム (41件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BA41 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029FA06 ,  5F045AA19 ,  5F045AB01 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103LL09 ,  5F103RR06 ,  5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN14 ,  5F152LN15 ,  5F152NN03 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体薄膜製造装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-282958   出願人：国立大学法人東京農工大学
• テンシル歪み有する局所「Silicon-On-Nothing」ウエーハもしくは「Silicon-On-Insulator」を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-082823   出願人：シャープ株式会社
• 半導体デバイス製造のためのゲート材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-547063   出願人：アンバーウェーブシステムズコーポレイション
• 半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-396966   出願人：三菱住友シリコン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-205762   出願人：シャープ株式会社