特許
J-GLOBAL ID：200903051573220870

半導体薄膜製造装置および方法

発明者：
須田 良幸

須田 良幸 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京農工大学

国立大学法人東京農工大学 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-282958
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100834
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の4族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を1×10-7Torr未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を1×10-7Torr未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の4族系半導体結晶が形成できる。
請求項（抜粋）：
単結晶又は多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置において、 反応容器と、 前記反応容器内の圧力を常に1×10-7Torr未満に設定する第1の圧力設定手段と、 前記圧力設定手段で設定された反応容器内の圧力を保ったまま、前記反応容器内に載置された基板を400度より大きく680度までの間の温度に加熱する加熱手段と、 希ガスと水素ガスを含む混合気体を前記反応容器内に導入する導入手段と、 前記導入手段により導入された混合気体をスパッタガスとして、前記加熱手段で加熱された基板に、4属元素を含むスパッタターゲットをマグネトロン方式によりスパッタするスパッタ手段と を有することを特徴とする半導体薄膜製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/203 ,  C23C 14/34
FI (2件)：
H01L21/203 S ,  C23C14/34 S
Fターム (23件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029FA06 ,  5F103AA08 ,  5F103BB15 ,  5F103BB22 ,  5F103BB38 ,  5F103BB47 ,  5F103DD16 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103NN06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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