誘電体膜及びその形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：池田憲保 , 福田修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-257946
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245528
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 NBTI耐性に優れた2 nm以下のラジカル窒化酸化膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の表面側にSi3≡N結合の状態にあるNが3 原子%以上,界面側に0.1原子%以下の濃度で存在させることにより,B拡散の防止と,NBTI耐性の劣化を防止両立させる。Ar/N2ラジカル窒化を用いた場合,上記結合状態にあるNの濃度を,表面側3 原子%以上,界面側0.1 原子%以下を同時に満たすことは困難であるが,Xe/N2, Kr/N2, Ar/NH3, Xe/NH3, Kr/NH3, Ar/N2/H2, Xe/N2/H2, Kr/N2/H2のいずれかのガスの組み合わせを用いることにより,上記N濃度分布を実現可能とする。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

シリコン表面上に形成された誘電体膜において、前記誘電体膜表面のN濃度が3 原子%以上で,かつ前記シリコン表面と誘電体膜界面に存在するN濃度が0.1 原子%以下で,かつ膜厚が2 nm以下であることを特徴とする誘電体膜。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L21/318 C , H01L21/318 M , H01L21/318 A , H01L21/316 M , H01L29/78 301G

Fターム (26件)：

5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD15 , 5F058BF74 , 5F058BH04 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG24 , 5F140BG28

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-247966 出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (2件)

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