特許
J-GLOBAL ID：200903030747102343
CSPタイプの半導体装置及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027709
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231855
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 歩留まりの良い構造の、半導体チップの電極形成側の面に、外部端子を再配置した半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】 ウエハレベルで、配線部140、絶縁層150、ビア部となるバンプ160、絶縁性接着剤層170を形成した転写版を作製する工程と、半導体チップの端子215面上に、ビア部となるバンプ230を形成する工程と、転写版と半導体チップとを、対応するバンプ同志を接合し、他の領域を絶縁性接着剤層170により接着し、転写版のバンプと半導体チップのバンプとでビア部を形成する工程と、転写版のベース基板110を剥離除去した後、露出した転写版の給電層120に相当する部分をソフトエッチング工程と、絶縁層上に形成された配線部およびビア部を覆うように、ソルダーレジスト層250を設けた後、外部端子形成領域を開口する工程と、ソルダーレジスト層の開口した外部端子形成領域に、バンプ260を形成する工程とより成る。
請求項（抜粋）：
半導体チップの端子形成側の面上に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置で、絶縁層上に形成された配線と半導体チップの端子とは、半導体チップの端子上に設けられた絶縁層を貫通するビア部を介して、電気的に接続されているCSPタイプの半導体装置を作製する、半導体装置の作製方法であって、ウエハプロセスを完了後、ウエハレベルで、(a)ベース基板の一面に、剥離性の給電層を形成し、該給電層上に、配線部を電解めっき形成し、更に、ビア部形成領域を開口する開口部を設けて、給電層、配線部を覆う絶縁層を形成し、さらに絶縁層と同一のパターンで絶縁性接着剤層を配設し、前記絶縁層の開口部に、ビア部となるバンプを電解めっき形成した、転写版を作製する、転写版作製工程と、順に、(b)半導体チップの端子面上に、ビア部となるバンプを形成する、半導体チップへのバンプ形成工程と、(c)転写版と、半導体チップとを、対応するバンプ同志を接合し、且つ、他の領域を絶縁性接着剤層により接着し、同時に、転写版のバンプと半導体チップのバンプとでビア部を形成する、接合、接着工程と、(d)配線部、絶縁層、バンプ部を半導体チップ側に残し、転写版のベース基板を剥離除去した後、露出した転写版の給電層に相当する部分を、配線部を損なわないようにエッチングするソフトエッチング工程と、(e)絶縁層上に形成された配線部およびビア部を覆うように、ソルダーレジスト層を設けた後、外部端子形成領域を開口する、ソルダーレジスト層形成工程と、(f)ソルダーレジスト層の開口した外部端子形成領域に、バンプを形成するバンプ形成工程とを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/60 311
H01L 23/12 501 P
, H01L 21/60 311 S
5F044KK08
, 5F044KK11
, 5F044KK19
, 5F044MM03
, 5F044MM23
, 5F044MM35
, 5F044QQ03
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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