特許
J-GLOBAL ID:200903030754141923

交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-081820
公開番号(公開出願番号):特開2002-280641
出願日: 2001年03月22日
公開日(公表日): 2002年09月27日
要約:
【要約】【目的】 従来におけるシードレイヤではCrの組成比は35at%以下から40at%以下であったが、今後の高記録密度化に適切に対応するには前記Crの組成比を大きくして前記シードレイヤ表面の濡れ性を高める必要があった。【構成】 シードレイヤ22のCr組成比を35at%以上で60at%以下とし、膜厚を10Å以上で200Å以下の範囲内で形成し、さらにスパッタ条件などを適正化して結晶構造を面心立方構造のみで構成する。これにより面心立方構造を保ちながらシードレイヤ表面の濡れ性を向上させることができ、抵抗変化率(ΔR/R)などを従来よりも向上させることが可能になる。
請求項(抜粋):
下から非磁性材料あるいは一部が強磁性材料で形成されたシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤは元素α(Fe、Ni、Coのうちいずれか1種または2種以上)とCrを含有し、前記Crの組成比は、35at%以上で60at%以下であり、前記シードレイヤの膜厚は、10Å以上で200Å以下であり、前記シードレイヤの結晶構造は面心立方構造であることを特徴とする交換結合膜。
IPC (4件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
FI (5件):
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R
Fターム (13件):
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049GC01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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