MEMSデバイスおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小谷悦司 , 伊藤孝夫 , 樋口次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-234260
公開番号（公開出願番号）：特開2007-047111
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】枠体内にビームを介して塊体が変位自在に支持されて成るセンサ基板を上下一対の封止板で気密に封止し、その塊体の可動量を検出することで、加速度や角速度などを検出するようにしたMEMSデバイスにおいて、気密性を劣化させないようにする。【解決手段】塊体6への駆動信号の供給や前記塊体6の可動量に対応した検出信号を取出すための電極12が設けられる側の封止板21に半導体基板を用い、このことを利用して、完全に孔を形成せず、デバイス外部側から電極12側へ凹部23を形成し、その凹部21の内壁を不純物の拡散によって低抵抗領域24として導電性を持たせ、その低抵抗領域24を外部電極とする。したがって、貫通孔を形成しないので、ガラス基板で生じるようなチッピングが生じず、気密性を劣化させない配線構造を実現することができるとともに、導電不良を抑えることもでき、信頼性を向上することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

枠体内にビームを介して塊体が変位自在に支持されて成るセンサ基板を上下一対の封止板で気密に封止し、前記センサ基板と前記封止板の少なくとも一方との間に、前記塊体への駆動信号の供給および/または前記塊体の可動量に対応した検出信号を取出すための内部電極を有するMEMSデバイスにおいて、前記少なくとも一方の封止板は半導体基板から成るとともに、前記内部電極に向けて凹部を有し、該凹部の内壁は不純物の拡散による低抵抗領域となり、前記低抵抗領域を外部電極とすることを特徴とするMEMSデバイス。

IPC (6件)：

G01P 15/125 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , G01P 9/04 , G01C 19/56 , H01L 29/84

FI (6件)：

G01P15/125 Z , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P9/04 , G01C19/56 , H01L29/84 Z

Fターム (20件)：

2F105BB02 , 2F105BB04 , 2F105BB13 , 2F105BB14 , 2F105CD03 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112DA04 , 4M112DA09 , 4M112DA10 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112EA18 , 4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体加速度センサとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-278032 出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (9件)

慣性力センサ、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-139158 出願人：三菱電機株式会社
特開昭63-117233
特開昭63-117233

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