SiC基板表面の平坦化方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺望稔 , 三和晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094638
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285905
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】短い時間でSiC基板表面を高精度に平坦化する。【解決手段】エッチング速度がそれぞれ異なる2種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してSiC基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ガスクラスターをイオン化し、ガスクラスターイオンビームとしてSiC基板表面に照射してSiC基板表面を平坦化する方法であって、第1のガスのガスクラスターイオンビームを、前記SiC基板の表面に照射して前記SiC基板の表面をエッチングする第1の照射工程と、第1のガスと異なる第2のガスを選択し、この第2のガスのガスクラスターイオンビームを、前記SiC基板のエッチングされた表面に照射して前記SiC基板の表面をさらにエッチングすることで、第1の照射工程で得られた前記SiC基板の表面粗さをさらに低減する第2の照射工程と、酸素ガスを主成分としたガスのガスクラスターイオンビームを前記SiC基板表面の一方の面に照射し、第2の照射工程で得られた前記SiC基板の表面粗さをさらに低減する仕上げ照射工程と、を有することを特徴とするSiC基板表面の平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L21/302 , H01L21/02

FI (2件)：

H01L21/302 201B , H01L21/02 B

Fターム (16件)：

5F004AA11 , 5F004BA11 , 5F004BB12 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB19 , 5F004EA21 , 5F004EA27 , 5F004EA28

引用特許：

出願人引用 (6件)

SiCモニタウェハ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-045725 出願人：三井造船株式会社
ガスクラスターの形成方法と薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064861 出願人：科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社
多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010941 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (6件)

ガスクラスターの形成方法と薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064861 出願人：科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社
多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010941 出願人：三菱電機株式会社
SiCモニタウェハ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-045725 出願人：三井造船株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

電子情報通信学会技術報告, 19961205, Vol.96, No395, p95-101

審査官引用 (1件)

電子情報通信学会技術報告, 19961205, Vol.96, No395, p95-101

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