特許
J-GLOBAL ID：200903030861753508
SiC基板表面の平坦化方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094638
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285905
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】短い時間でSiC基板表面を高精度に平坦化する。 【解決手段】エッチング速度がそれぞれ異なる2種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してSiC基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ガスクラスターをイオン化し、ガスクラスターイオンビームとしてSiC基板表面に照射してSiC基板表面を平坦化する方法であって、
第1のガスのガスクラスターイオンビームを、前記SiC基板の表面に照射して前記SiC基板の表面をエッチングする第1の照射工程と、
第1のガスと異なる第2のガスを選択し、この第2のガスのガスクラスターイオンビームを、前記SiC基板のエッチングされた表面に照射して前記SiC基板の表面をさらにエッチングすることで、第1の照射工程で得られた前記SiC基板の表面粗さをさらに低減する第2の照射工程と、
酸素ガスを主成分としたガスのガスクラスターイオンビームを前記SiC基板表面の一方の面に照射し、第2の照射工程で得られた前記SiC基板の表面粗さをさらに低減する仕上げ照射工程と、を有することを特徴とするSiC基板表面の平坦化方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 201B
, H01L21/02 B
5F004AA11
, 5F004BA11
, 5F004BB12
, 5F004CA01
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA01
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA28
, 5F004DB19
, 5F004EA21
, 5F004EA27
, 5F004EA28
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)
-
電子情報通信学会技術報告, 19961205, Vol.96, No395, p95-101
前のページに戻る
