特許
J-GLOBAL ID：200903071814536483
ガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043874
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】超平坦で高精度に膜厚が制御され、特性の経時変化の極めて少ない酸化物薄膜が形成可能なガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法を提供する。【解決手段】金属、金属酸化物もしくは半導体酸化物を蒸着源から蒸発させて固体基板上に酸化物薄膜を形成する際に、酸化物薄膜形成と同時または間歇的に基板にガスクラスターイオンを照射するガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法において、ガスクラスターイオンビームの加速電圧を3kV以上10kV以下の範囲とし、成膜速度を0.1Å/sec以上500Å/sec以下とし、かつ電流密度を0.5×成膜速度(Å/sec)μA/cm2以上とする。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
金属、金属酸化物もしくは半導体酸化物を蒸着源から蒸発させて固体基板上に酸化物薄膜を形成する際に、酸化物薄膜形成と同時または間歇的に基板に酸素ガスもしくは酸素化合物ガスのうちの少なくともいずれかのガスクラスターイオンを照射するガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法において、ガスクラスターイオンビームの加速電圧を3kV以上10kV以下の範囲とし、成膜速度を0.1Å/sec以上500Å/sec以下とし、かつ電流密度を0.5×成膜速度(Å/sec)μA/cm2以上とすることを特徴とするガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C14/22
, C23C14/32
, G02B5/28
C23C14/22 F
, C23C14/32 F
, G02B5/28
2H048GA04
, 2H048GA51
, 2H048GA60
, 4K029AA09
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029BC07
, 4K029CA09
, 4K029DB05
, 4K029DB21
