特許
J-GLOBAL ID：200903030864301837
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-187866
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 詳しくは半導体素子などの層間絶縁膜材料として溶液の保存安定性に優れ、短時間焼成でも低い比誘電率を示す膜形成用組成物と絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】 A)A-1)一般式1およびR1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素、フッ素または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは0〜2の整数を表す。)A-2)一般式2R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3〜R6は同一でも異なってもよく、1価の有機基を、bとcは同一でも異なってもよく、0〜2の数、R7は酸素または-(CH2)n-、nは1〜6、dは0または1を示す。)の1種以上の化合物の加水分解物その縮合物B)一般式3の化合物R10eM ・・・・・(3)(R10はキレート剤、Mは金属原子、eはMの原子価を表す。)ならびにC)有機溶媒を含有する膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物およびR1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方(B)下記一般式(3)で表される化合物R10eM ・・・・・(3)(R10はキレート剤、Mは金属原子、eは金属原子Mの原子価数を表す。)ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/04
, C09D 4/00
, C09D183/14
, H01L 21/312
C09D183/04
, C09D 4/00
, C09D183/14
, H01L 21/312 C
4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038JC38
, 4J038KA06
, 4J038KA09
, 4J038NA21
, 4J038PB09
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
