特許
J-GLOBAL ID：200903085094121982

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者：
西川 通則

西川 通則 について

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井上 靖健

井上 靖健 について

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角田 真由美

角田 真由美 について

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山田 欣司

山田 欣司 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-040092
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の均一性や低誘電率や機械的強度、溶液の長期保存安定性などに優れた膜形成用組成物に関する。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を金属キレート化合物の存在下で加水分解、縮合した化合物ならびに(B)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を酸触媒の存在下で加水分解、縮合した化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。一般式1R1a Si(OR2 )4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)一般式2R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を金属キレート化合物の存在下で加水分解、縮合した化合物ならびに(B)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を酸触媒の存在下で加水分解、縮合した化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。一般式1R1a Si(OR2 )4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)一般式2R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)
IPC (5件)：
C08G 77/18 ,  C08G 77/50 ,  C09D183/06 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312
FI (5件)：
C08G 77/18 ,  C08G 77/50 ,  C09D183/06 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C
Fターム (21件)：
4J035AA03 ,  4J035BA16 ,  4J035CA162 ,  4J035HA01 ,  4J035HB03 ,  4J038CG142 ,  4J038CH142 ,  4J038CH152 ,  4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038JC38 ,  4J038NA21 ,  5F058AA03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (10件)
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