特許

J-GLOBAL ID：200903030879070882

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  金生 剛 ,  名倉 茂広 ,  小林 知洋 ,  渡辺 聡
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113351
公開番号（公開出願番号）：特開2002-202609
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【解決手段】 下記式に示されるような開環メタセシス重合体の水素添加物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】【効果】 本発明で用いる開環メタセシス重合体の水素添加物は、耐熱性、耐熱分解性、光透過性等に優れた紫外線や遠紫外線を用いた半導体微細加工用フォトレジストに適した重合体であり、工業的に極めて価値がある。このものをベース樹脂として用いた本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れている。

請求項（抜粋）：

少なくとも下記一般式[1]【化1】(式中、R1〜R4のうち少なくとも一つが、下記一般式[2]【化2】(式中、鎖線は結合手を示す。R5は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。R6は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。W1は単結合又は炭素数1〜10のk+2価の炭化水素基を示す。Zは炭素数2〜15の2価の炭化水素基を示し、結合する炭素原子と共に単環もしくは架橋環を形成する。kは0又は1である。)で表される環状アルキルの三級エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数3〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、X1は-O-又は-CR72-(R7は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す)であり、同一でも異なってもよい。jは0又は1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[A]と、下記一般式[3]【化3】(式中、R8〜R11は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、X2は-O-又は-CR122-(R12は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す)であり、同一でも異なってもよい。mは0又は1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[B]及び/又は下記一般式[4]【化4】(式中、R13〜R16は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、X3は-O-又は-CR172-(R17は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す)であり、同一でも異なってもよい。Y1及びY2は、一方が-(C=O)-であり、他方は、-CR182-(R18は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す)である。nは0又は1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[C]から構成され、かつ、一般式[1]で表される構造単位[A]のX1、一般式[3]で表される構造単位[B]のX2、及び一般式[4]で表される構造単位[C]のX3のうち少なくとも1つが-O-であり、その構成モル比[A]/([B]+[C])が20/80〜99/1であり、かつ重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比(Mw/Mn)が1.0〜2.0である開環メタセシス重合体の水素添加物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 61/06 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08G 61/06 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (19件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J032BA07 ,  4J032CA32 ,  4J032CA34

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-114075   出願人：三井化学株式会社
• 開環メタセシス重合体の水素添加物、その用途及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183991   出願人：三井化学株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-199038   出願人：三井化学株式会社
• ポリマー及びフォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-048803   出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
• ペンダント環式無水物基を含有するポリマーの製造法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-603292   出願人：ザビー.エフ.グッドリッチカンパニー
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-056682   出願人：信越化学工業株式会社