半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135076
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】活性すべきバンクを誤指定した場合や電源投入時にも、センスアンプを共有している隣接バンクを同時に活性化させない半導体記憶装置を提供する。【解決手段】バンクB0〜B2は独立して動作し、例えばバンクB1は隣接バンクB0,B2との間でセンスアンプ列3-01,3-12を共有する。バンクイネーブル信号生成回路10-1はバンクB1を活性化させるためのバンクイネーブル信号BE1を生成する際、隣接バンクB0,B2が何れも非活性のときのみバンクイネーブル信号BE1を有効化する。行デコーダ1-1及び制御回路11-1はバンクイネーブル信号BE1が有効のときだけ、ワード線WL1,センスアンプ列3-01及び3-12を活性化するセンスアンプイネーブル信号SE1,プリチャージ回路2-1a及び2-1bを活性化するプリチャージ信号PDL1,スイッチ5-1a 及び5-1bの導通状態を制御するスイッチ制御信号TG1を有効化させる。

請求項（抜粋）：

独立して動作するバンク内のメモリセルに保持されたデータをセンスするセンス手段をバンク間で共有した半導体記憶装置において、前記バンクの活性化が指示されたときに、該活性化すべきバンクとの間で前記センス手段を共有している他のバンクのうちの何れか一つでも活性化されていれば、前記活性化すべきバンクを活性化させるためのバンクイネーブル信号を無効化して、該バンクを活性状態にすることなく非活性状態とする制御手段を具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 362 S

Fターム (5件)：

5B024AA03 , 5B024BA18 , 5B024BA21 , 5B024BA29 , 5B024CA16

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-241589
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-215921 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328827 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (2件)

特開平3-241589
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-215921 出願人：日本電気株式会社

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