特許

J-GLOBAL ID：200903030932146454

半導体集積回路とその製造方法

発明者： 山幡 章司 ,  井田 実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221992
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077204
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】負荷抵抗体から発生する熱が効率よく基板側に拡散し、しかも、エミッタ電極へのコンタクトスルーホールの深さが浅い構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積回路と、それを高歩留まりで製造する方法を提供すること。【解決手段】半絶縁性InP基板5上に、エミッタ電極1、ベース電極2、コレクタ電極3を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを集積し、基板5上に形成したSiO2膜8の上に負荷抵抗体9を集積した構造の集積回路と、SiO2膜8を形成する前の基板5の表面を、塩素とアルゴンとの混合ガスによる電子サイクロトロン共鳴反応性エッチングでエッチングし、続いて塩酸系エッチング液によってウェットエッチングして、その表面とSiO2膜8との密着性を向上させることによって課題を解決する。また、高抵抗化したInAlAsバッファ層を基板とSiO2膜との間の中間層として用いて課題を解決する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に能動素子と受動素子とが集積され、無機絶縁膜と有機パッシベーション膜とが形成された半導体集積回路であって、該受動素子は、該半導体基板上に該無機絶縁膜を介して集積されたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (5件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 S ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72

Fターム (43件)：

5F003AP10 ,  5F003BA21 ,  5F003BA23 ,  5F003BA92 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM02 ,  5F003BZ05 ,  5F004AA11 ,  5F004BA14 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB07 ,  5F004DB19 ,  5F004DB22 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F043AA14 ,  5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043DD02 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG05 ,  5F043GG10 ,  5F082AA08 ,  5F082AA14 ,  5F082AA15 ,  5F082AA40 ,  5F082BA08 ,  5F082BA50 ,  5F082BC01 ,  5F082BC13 ,  5F082CA02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 記録ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204939   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337538   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215159   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203435   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (4件)

• 記録ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204939   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337538   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215159   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203435   出願人：日本電信電話株式会社