特許

J-GLOBAL ID：200903030953209421

面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子

発明者： 高木 啓史 ,  岩井 則広 ,  清水 均 ,  影山 健生
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-046254
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210991
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】所望の形状の電流狭窄部を有する面発光レーザ素子を安定して製造できる面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子を提供すること。【解決手段】選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、AlAs層と、III族元素であるXを含むXAs層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、 活性層を含む複数の半導体層上に、AlAs層と、III族元素であるXを含むXAs層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、 前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、 を含むことを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (13件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF92 ,  5F173AH04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AP67 ,  5F173AP73 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 面発光レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-109476   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

• トンネル接合型面発光半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-112406   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 面発光レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-089930   出願人：横河電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Accelerated and reproducible oxidation of strain-compensated short-period superlattice structures fo