特許
J-GLOBAL ID：200903061398060711
トンネル接合型面発光半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112406
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294811
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 電流狭窄および光閉じ込めに短周期超格子層を選択的に酸化した層を用いることで、電気光学特性に優れた長波長VCSELを再現性良く作製する方法を提供する。【解決手段】 VCSEL1は、GaAs基板10上に、下部反射膜11、第2のコンタクト層12、ハイドープ層13、スペーサ層14a、14b、スペーサ層の中央部に配置された活性層15、第1のコンタクト層16、上部反射膜17の各層が形成され、ハイドープ層13の少なくとも一部は短周期超格子層からなり、さらにその外周部は選択酸化領域13aを有し、全体として高濃度の不純物がドーピングされ、隣り合う第2のコンタクト層12との間でトンネル接合Tを形成している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の反射鏡、第2の反射鏡、第1および第2の反射鏡の間に直列に配置された活性領域およびトンネル接合領域を有するトンネル接合型面発光半導体レーザ素子において、
トンネル接合領域は、少なくとも一部にアルミニウムを含む超格子層からなる第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層と接合する第2導電型の第2の半導体層とを含み、アルミニウムを含む超格子層の一部が酸化されている、
トンネル接合型面発光型半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC36
, 5F173AC42
, 5F173AG05
, 5F173AG20
, 5F173AH13
, 5F173AP09
, 5F173AR94
出願人引用 (5件)
-
長波長VCSEL
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-126809
出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
-
米国特許5835521号
-
表面放射半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-092114
出願人：アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
-
トンネル接合面発光レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-321679
出願人：日本電気株式会社
-
米国特許6515308B1
全件表示
審査官引用 (1件)
-
面発光レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-089930
出願人：横河電機株式会社
引用文献：
前のページに戻る
