特許
J-GLOBAL ID：200903030994027990

半導体発光素子

発明者：
池田 亜矢子

池田 亜矢子 について

, 
永井 陽一

永井 陽一 について

, 
中村 孝夫

中村 孝夫 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377204
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142357
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 活性層において発生した光の取り出し効率を向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光ダイオード1は、光を透過する窒化物からなる基板3と、基板3の主面3a上に設けられたn型バッファ層5及びn型クラッド層7と、n型クラッド層7上に設けられたp型クラッド層11及びp型コンタクト層13と、n型クラッド層7とp型クラッド層11との間に設けられた活性層9と、n型コンタクト層13上に格子状といった所定パターンで設けられたアノード電極17と、p型コンタクト層13上及びアノード電極17上に設けられた金属反射膜19と、を備える。金属反射膜19は、活性層9において発生した光L1を反射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる第1導電型半導体層と、 窒化物半導体からなり、前記第1導電型半導体層上に設けられた第2導電型半導体層と、 窒化物半導体からなり、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に設けられた活性層と、 前記第1導電型半導体層と電気的に接続された第1の電極と、 前記第2導電型半導体層上に所定のパターンで設けられた第2の電極と、 前記第2導電型半導体層上及び前記第2の電極上に設けられた金属反射膜と、 を備える、半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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