特許
J-GLOBAL ID：200903031019544468
基板処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
渡邉 勇
, 小杉 良二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-246720
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042220
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】半導体装置の製造工程などにおいて、基板の周縁部等に発生する表面荒れや基板の周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理方法及び装置を提供する。【解決手段】CMP工程の後、研磨フィルム22により基板のベベル部及びエッジ部の研磨を行う。また基板のベベル部の研磨ヘッドが位置しない場所に、基板のデバイス形成面の法線方向から所定形状及び所定強度の光を照射し、散乱光を測定することでベベル部の凹凸を測定し、これに基づいて研磨終点を検知する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
CMP工程の後、研磨フィルムにより基板のベベル部及びエッジ部の研磨を行うことを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 21/02
, B24B 49/12
H01L21/304 621E
, H01L21/304 622S
, B24B21/02
, B24B49/12
3C034CA02
, 3C034CA05
, 3C034CA13
, 3C034CA22
, 3C034CB03
, 3C034CB14
, 3C034DD07
, 3C034DD10
, 3C058AA05
, 3C058AA12
, 3C058AA13
, 3C058AA14
, 3C058AA16
, 3C058AA18
, 3C058AB04
, 3C058AB06
, 3C058AC02
, 3C058BA01
, 3C058BA09
, 3C058BA14
, 3C058BB02
, 3C058BC02
, 3C058CA05
, 3C058CB03
, 3C058CB04
, 3C058DA17
