電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-121641
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294709
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】ゲート絶縁層を部分的に薄くした部分を保持容量の誘電体層として用いた場合でも、保持容量の容量のばらつきや保持容量の耐電圧低下を抑えることのできる電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層4の厚い下層側ゲート絶縁層4aを形成した後、ドライエッチングにより下電極3cと重なる部分の下層側ゲート絶縁層4aを除去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層4bを形成し、この上層側ゲート絶縁層4bを保持容量1hの誘電体層4cとして用いる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

素子基板上の複数の各画素領域の各々に、ゲート電極、ゲート絶縁層および半導体層が積層された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン領域に電気的に接続された画素電極と、前記ゲート絶縁層を挟んで対向する下電極および上電極を備えた保持容量と、を有する電気光学装置において、前記薄膜トランジスタは、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層および前記半導体層が下層側から順に積層され、前記ゲート絶縁層は、1層乃至複数層の絶縁膜からなる下層側ゲート絶縁層と、1層乃至複数層の絶縁膜からなる上層側ゲート絶縁層と、を備え、前記下層側ゲート絶縁層は、前記薄膜トランジスタの寄生容量を小さくする厚さに形成されているとともに前記下電極および前記上電極と重なる部分で除去されていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (4件)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 612D , H01L29/78 627B , G02F1/1368

Fターム (50件)：

2H092JA24 , 2H092JA36 , 2H092JB24 , 2H092JB56 , 2H092JB65 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092NA11 , 2H092NA24 , 5F110AA12 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2584290号公報
特許第3106566号公報

審査官引用 (4件)

アクティブマトリックス型液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-181949 出願人：アルプス電気株式会社
アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135775 出願人：シャープ株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-253737 出願人：株式会社東芝

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