特許
J-GLOBAL ID：200903031088761101
トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157776
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329205
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】大電流による動作が可能で、かつ、スイッチング速度の速いノーマリーオフ型の、窒化物半導体が用いられたトランジスタを提供する。【解決手段】チャネル領域を構成するアンドープGaN層103と、アンドープGaN層103の上に設けられているアンドープGaN層103よりもバンドギャップが大きいアンドープAl0.2Ga0.8N層104と、アンドープAl0.2Ga0.8N層104の上に設けられ設けられている、p型の導電性を有し、コントロール領域を構成するp型Al0.2Ga0.8Nコントロール層105と、p型Al0.2Ga0.8Nコントロール層105に接しているNiゲート電極110と、p型Al0.2Ga0.8Nコントロール層105の両側方に設けられているTi/Alソース電極108及びTi/Alドレイン電極109と、アンドープGaN層103に接続している正孔排出用電極としてのNiオーミック電極412とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャネル領域を構成する第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に設けられている前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層の上に設けられている、p型の導電性を有し、コントロール領域を構成する第3の窒化物半導体層と、
前記コントロール領域に接しているゲート電極と、
前記コントロール領域の両側方に設けられているソース電極及びドレイン電極と、
前記第1の窒化物半導体層に接続している正孔排出用電極と
を備えるトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL08
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR00
, 5F102GR01
, 5F102GR07
, 5F102GV08
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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