半導体装置、エピタキシャル膜の製造方法、およびレーザアブレーション装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338408
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142479
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】利得結合型DFBレ-ザダイオ-ドにおいて、利得領域と埋込領域との間の屈折率差を最小化し、利得結合係数を最大化し屈折率結合係数を最小化する。【解決手段】埋込領域を、第1のバンドギャップを有する第1の半導体材料よりなる複数の高屈折率層と、第2のより大きなバンドギャップを有する第2の半導体材料よりなる複数の高屈折率層の積層により形成する。

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板と、前記Si単結晶基板上に、基板表面に接した状態でエピタキシャルに形成された、ペロブスカイト構造を有する単結晶酸化物薄膜とよりなる半導体装置において、前記単結晶酸化物薄膜は、Siに対する反応性を有する2価の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/316 , B23K 26/12 , C23C 14/28 , C30B 23/08 , C30B 29/32 , H01L 21/31 , H01L 21/8247 , H01L 27/105 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 21/316 B , B23K 26/12 , C23C 14/28 , C30B 23/08 Z , C30B 29/32 C , H01L 21/31 A , H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

Fターム (43件)：

4E068CJ09 , 4E068DA10 , 4G077AA03 , 4G077BC42 , 4G077DA03 , 4G077EE06 , 4G077EG15 , 4K029AA06 , 4K029BA01 , 4K029BA17 , 4K029BA43 , 4K029BA48 , 4K029BA50 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029DB20 , 5F045AB31 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DC63 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F083FR06 , 5F083GA27 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR22 , 5F083PR25 , 5F101BA62 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BH11

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-213906 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
四面体の半導体に次層を形成するための緩衝層としてのエピタキシャル酸化マグネシウム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-310399 出願人：ゼロックスコーポレイション
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-193133 出願人：日本電信電話株式会社

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