特許
J-GLOBAL ID：200903031102513248

基板処理装置

発明者：
佐藤 直行

佐藤 直行 について

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田村 武

田村 武 について

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井手 裕幸

井手 裕幸 について

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濱 学

濱 学 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-171354
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010239
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】基板の被処理面に形成された処理膜にUV光(紫外線)を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、コスト増大を抑制し、安定した基板の温度制御を行なうことのできる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Wを所定温度に加熱するホットプレート57と、ホットプレート57上に設けられ、基板Wを支持する支持ピン58と、支持ピン58に支持された基板Wの被処理面に対しUV光を照射するUV光照射手段52とを備え、支持ピン58は、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、基板Wの熱をホットプレート57に伝導し、ホットプレート57は、支持ピン58を介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の被処理面に形成された処理膜にUV光(紫外線)を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、 前記基板を所定温度に加熱するホットプレートと、前記ホットプレート上に設けられ、前記基板を支持する支持ピンと、前記支持ピンに支持された前記基板の被処理面に対しUV光を照射するUV光照射手段とを備え、 前記支持ピンは、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、前記基板の熱を前記ホットプレートに伝導し、 前記ホットプレートは、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/31 A ,  H01L21/316 G ,  H01L21/68 N
Fターム (36件)：
5F031CA02 ,  5F031DA01 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA15 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031MA26 ,  5F031NA02 ,  5F031NA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB39 ,  5F045AD07 ,  5F045AF03 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045EB19 ,  5F045EK07 ,  5F045EK19 ,  5F045EK21 ,  5F045HA18 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AC05 ,  5F058AD02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BF54 ,  5F058BF78 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 絶縁膜形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387472   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (3件)

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