特許
J-GLOBAL ID：200903001816229059

絶縁膜形成装置

発明者：
西林 孝浩

西林 孝浩 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-387472
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186682
出願日： 2003年11月18日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】 基板例えばウエハに対して絶縁膜の形成が行われる絶縁膜形成装置において、装置の占有面積を小さくし、搬送効率を高めること。【解決手段】 絶縁膜の形成材料を含む塗布液をウエハに塗布するための塗布ユニット26と、前記塗布液を塗布する前のウエハを所定の温度に調整するための温調ユニット25と、前記塗布液を塗布したウエハを加熱するためのベークユニット28と、を含む複数の処理ユニットを互いに積層して構成された第1の処理タワーT1と第2の処理タワーT2と、を備え、これら処理タワーT1,T2の各処理ユニットに対して基板搬送手段24によりウエハの搬送を行う。各々の処理タワーT1,T2の複数の処理ユニットによりウエハに対して一連の処理を順次行うことにより、当該ウエハに絶縁膜が形成される。このように処理ユニットが集約されているので、装置の占有面積が小さくなり、搬送効率が向上する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁膜の形成材料を含む塗布液を基板に塗布するための塗布ユニットと、前記塗布液を塗布した基板を加熱するための加熱ユニットと、を含む複数の処理ユニットを互いに積層して構成された一の処理タワーと、 外部から基板を搬入するための基板搬入部と、 基板搬入部と前記処理タワーの各処理ユニットとの間で基板を搬送するための基板搬送手段と、を備え、 前記一の処理タワー内の複数の処理ユニットにより基板に対して一連の処理を順次行うことにより、当該基板に絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜形成装置。
IPC (5件)：
H01L21/31 ,  B05C9/12 ,  B05C11/08 ,  H01L21/68 ,  H01L21/768
FI (5件)：
H01L21/31 A ,  B05C9/12 ,  B05C11/08 ,  H01L21/68 A ,  H01L21/90 Q
Fターム (56件)：
4D075BB26Z ,  4D075BB42Z ,  4D075BB46Z ,  4D075BB47Z ,  4D075CA23 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA21 ,  4F042DB04 ,  4F042DB52 ,  4F042EB05 ,  4F042EB09 ,  4F042EB13 ,  4F042EB17 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031DA01 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA15 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA48 ,  5F031HA59 ,  5F031MA02 ,  5F031MA03 ,  5F031MA26 ,  5F031NA09 ,  5F031NA16 ,  5F031PA02 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX35 ,  5F045AB31 ,  5F045BB09 ,  5F045BB10 ,  5F045EB19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 塗布膜形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312971   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (6件)
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