微細パターンの形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121210
公開番号（公開出願番号）：特開2003-316026
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】ホトレジストパターンを有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行う微細パターンの形成方法において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができ、かつディフェクトの発生のない微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】ホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を、アルカリ水溶液および水溶性有機溶媒の中から選ばれる少なくとも1種を含む除去液に接触させることによって除去した後、水洗浄する、微細パターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

ホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を、アルカリ水溶液および水溶性有機溶媒の中から選ばれる少なくとも1種を含む除去液に接触させることによって除去した後、水洗浄する、微細パターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 570

Fターム (5件)：

2H096AA25 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 2H096LA30 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003205 出願人：三菱電機株式会社
パタン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-192151 出願人：株式会社日立製作所
水溶性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-182778 出願人：クラリアントインターナショナルリミテッド

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