特許
J-GLOBAL ID:200903031221976086

導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 真田 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-049119
公開番号(公開出願番号):特開2006-232986
出願日: 2005年02月24日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】 キャリア移動が有利となる二次元的導電経路を有する結晶構造、結晶子サイズ、及び/又は結晶化度が得られる導電性高分子を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされる構造の導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.3以下であり、且つ、隣り合うチオフェン環の結合に対する2,5’-結合の占める割合が95%以上である。(式(1)中、Rは、炭素数4以上のアルキル基を表わし、X及びX’はそれぞれ独立に、水素原子、塩素原子又は臭素原子を表わし、nは、110以上、220以下の整数を表わす。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表わされる構造の導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.3以下であり、且つ、隣り合うチオフェン環の結合に対する2,5’-結合の占める割合が95%以上である ことを特徴とする、導電性高分子。
IPC (4件):
C08G 61/12 ,  H01B 1/12 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (4件):
C08G61/12 ,  H01B1/12 F ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
Fターム (50件):
4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BB01 ,  4J032BC03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK11 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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