特許
J-GLOBAL ID:200903034805841378

有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-032739
公開番号(公開出願番号):特開2006-219550
出願日: 2005年02月09日
公開日(公表日): 2006年08月24日
要約:
【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ、高耐久性を併せ持つ、有機TFT、電界効果トランジスタ、更に、該有機TFTまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供する。【解決手段】 位置規則性を有する繰り返し単位を有し、該繰り返し単位は、芳香族性の単環または芳香族性を有する縮合環を分子中に含み、該単環または該縮合環の合計が10〜200個であるオリゴマーまたはポリマーであり、該オリゴマーまたは該ポリマー中の、単一分子量成分の含有量が60モル%以上であることを特徴とする有機半導体材料。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
位置規則性を有する繰り返し単位を有し、該繰り返し単位は、芳香族性の単環または芳香族性を有する縮合環を分子中に含み、該単環または該縮合環の合計が10〜200個であるオリゴマーまたはポリマーであり、該オリゴマーまたは該ポリマー中の、単一分子量成分の含有量が60モル%以上であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (3件):
C08G 61/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (3件):
C08G61/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28
Fターム (35件):
4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA12 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BA20 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB09 ,  4J032CA03 ,  4J032CA12 ,  4J032CB01 ,  4J032CB03 ,  4J032CB12 ,  4J032CG01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1, 2000, 1211*6

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