特許
J-GLOBAL ID：200903031316940712

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
大巻 雄治

大巻 雄治 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-070814
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253559
出願日： 2005年03月14日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】電極界面との接触抵抗を低減した高効率な電界効果トランジスタ等を提供する。【課題手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなる第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成され、第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が5×1012/cm-2以上となる窒化物半導体からなる第2の半導体層と、第2の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、ソース電極及び/又はドレイン電極は、少なくとも第2の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されている。この構造により、段差部分でチャネル形成部分と電極との接触面積を増やし、オーミック接触の接触抵抗を下げて効率を改善できる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が5×1019/cm-3以下となる窒化物半導体からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、 前記ソース電極及び/又はドレイン電極は、少なくとも前記第2の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/44 S ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z
Fターム (44件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF07 ,  4M104FF26 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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