特許
J-GLOBAL ID：200903031443724689

埋め込みガードリング及び耐放射線性分離構造並びにその製造方法

発明者：
モーリス、ウェズリー・エイチ

モーリス、ウェズリー・エイチ について


出願人/特許権者：
シリコン・スペース・テクノロジー・コーポレイション

シリコン・スペース・テクノロジー・コーポレイション について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-553340
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523481
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】大量の商業マイクロエレクトロニクスメーカーがアクセスし易い最先端の基礎設備を使用して、高性能且つ費用対効果に優れた耐放射線性集積回路(RHICs)を提供する。【解決手段】様々な形式の放射線エネルギーによって引き起こされる有害な影響を減少し、又は排除するために、従来の設計及びプロセスを使用する一方で特殊構造を含んで半導体デバイスを作成する。このような半導体デバイスは本願で開示された1台以上の寄生的な分離デバイス、及び/又は、埋め込みガードリング構造を含む。これら新規な構造に対応する設計、及び/又は、工程ステップの導入には、従来のCMOS製作工程との互換性がある。したがって、比較的低い費用で比較的簡単に実施することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する基板と、 前記第1導電型を有し、第1ウェル接触領域を含む第1ウェルと、 前記第1導電型を有し、前記第1ウェルの下に配置され、第1基板の不純物濃度よりも高い埋め込み層不純物濃度を更に含む埋め込み層と、 前記埋め込み層と前記第1ウェル接触領域及び基板表面端子のいずれかとの間に延びる垂直導体と を含むことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (8件)：
H01L 27/08 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (12件)：
H01L27/08 331B ,  H01L29/06 301G ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 331C ,  H01L27/08 321B ,  H01L21/76 L ,  H01L21/76 S ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 331D ,  H01L21/76 D ,  H01L29/78 301R ,  H01L29/78 623Z
Fターム (61件)：
5F032AA03 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA64 ,  5F032AA70 ,  5F032AB01 ,  5F032AB05 ,  5F032AC01 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032BB01 ,  5F032CA01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA22 ,  5F032DA60 ,  5F048AA03 ,  5F048AA04 ,  5F048AA06 ,  5F048AA07 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA11 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BE01 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048BH05 ,  5F048BH07 ,  5F048CC13 ,  5F110AA21 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG37 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA09 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140CB00 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CD02
引用特許：
審査官引用 (26件)
  • 特開平3-099464
  • 特開平3-099464
  • 特開昭61-240671
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