特許
J-GLOBAL ID：200903031454245235

高周波半導体装置

発明者：
前田 昌宏

前田 昌宏 について

, 
森本 滋

森本 滋 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141304
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335136
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 異常発振を抑制できる高性能な高周波GaAsパワーFET素子を提供する。【解決手段】 入力側誘電体基板2および出力側誘電体基板3の表面に形成され、FETチップ1a、1bと電気的に接続された複数の伝送線路6aと6b、6cと6d、および7aと7b、7cと7dの間に、電気的に接続された薄膜抵抗18、20を設けた。
請求項（抜粋）：
増幅素子と、前記増幅素子の入力側もしくは出力側に設けられた誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成され、前記増幅素子と電気的に接続されている複数の伝送線路と、前記誘電体基板の表面に形成され、前記複数の伝送線路の間に電気的に接続されている抵抗とを備えたことを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (4件)：
H03F 3/60 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12 301 ,  H03F 3/68
FI (4件)：
H03F 3/60 ,  H01L 23/02 H ,  H01L 23/12 301 C ,  H03F 3/68 B
Fターム (36件)：
5J067AA01 ,  5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA54 ,  5J067FA20 ,  5J067HA09 ,  5J067HA24 ,  5J067HA25 ,  5J067KA00 ,  5J067KA29 ,  5J067KA66 ,  5J067KA68 ,  5J067KS01 ,  5J067KS11 ,  5J067LS01 ,  5J067QA04 ,  5J067QS02 ,  5J067SA14 ,  5J067TA05 ,  5J069AA01 ,  5J069AA04 ,  5J069AA41 ,  5J069CA54 ,  5J069FA16 ,  5J069HA09 ,  5J069HA24 ,  5J069HA25 ,  5J069KA29 ,  5J069KA66 ,  5J069KA68 ,  5J069KC03 ,  5J069KC06 ,  5J069KC07 ,  5J069QA04 ,  5J069SA14 ,  5J069TA05
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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