半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-379446
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186171
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】基板とフォーカスリングとのクリアランスのバラツキを低減させて、プロセス安定性を向上させることができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置1は、ウェハWを収容するエッチング処理室5と、エッチング処理室5内に配置され、ウェハWを載置する下部電極7と、ウェハWを下部電極7に搬送するロボットアーム6と、下部電極7の外周縁部上に配置され、下部電極7に載置されるウェハWの周縁を取り囲み、検知パターン9aを有するフォーカスリング9の検知パターン9aを検知する光学センサ11を有し、光学センサ11の検知結果に基づいてウェハWとフォーカスリング9とのクリアランスを調整する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板を収容する処理室と、前記処理室内に配置され、前記基板を載置する電極と、前記基板を前記電極に搬送するロボットアームと、前記電極の外周縁部上に配置され、前記電極に載置される前記基板の周縁を取り囲み、検知パターンを有するフォーカスリングの前記検知パターンを検知するセンサとを有し、前記センサの検知結果に基づいて前記基板と前記フォーカスリングとのクリアランスを調整することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/677 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L21/302 101G , H01L21/68 A , H01L21/68 F

Fターム (26件)：

5F004BA04 , 5F004BB23 , 5F004BC06 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004CA05 , 5F004CB09 , 5F031CA02 , 5F031DA01 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA36 , 5F031HA33 , 5F031JA06 , 5F031JA17 , 5F031JA29 , 5F031JA32 , 5F031JA38 , 5F031KA10 , 5F031KA11 , 5F031MA28 , 5F031MA32 , 5F031NA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

ウエハ搬送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-313847 出願人：株式会社東京精密

審査官引用 (3件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-293637 出願人：ソニー株式会社
ウェハ位置決め装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-196104 出願人：株式会社芝浦製作所
処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-098162 出願人：東京エレクトロン株式会社

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