特許
J-GLOBAL ID：200903055574305025

処理装置および処理方法

発明者：
伊藤 高司

伊藤 高司 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098162
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304123
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】マルチチャンバータイプの処理装置において、被処理基板にダメージを与えることなく確実に基板を除電することができ、高精度かつ高スループットの処理が可能な処理装置および処理方法を提供すること。【解決手段】搬送室3と、搬送室3に連結され、その中で被処理基板Wにエッチング処理を施すエッチング処理室1a,1bと、搬送室3に連結され、その中で被処理基板Wにアッシング処理を施すアッシング処理室2a,2bと、搬送室3内に設けられ、被処理基板Wをエッチング処理室1a,1bおよびアッシング処理室2a,2bに順次搬送する搬送装置6と、エッチング処理室1a,1bおよびアッシング処理室2a,2b内において被処理基板Wを静電的に吸着保持する静電チャック21と、エッチング処理室1a,1bおよびアッシング処理室2a,2b内に解離した単原子状態のNを供給するN原子供給手段70,75,76とを具備する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
搬送室と、 前記搬送室に連結され、その中で被処理基板に処理を施す複数の処理室と、 前記各処理室内において被処理基板を静電的に吸着保持する静電チャックと、 搬送室内に設けられ、前記処理室との間で被処理基板を搬送する搬送装置と、 前記処理室内に解離した単原子状態のNを供給するN原子供給手段と を具備することを特徴とする処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/68 ,  H01L21/3065 ,  H05F3/06
FI (3件)：
H01L21/68 R ,  H05F3/06 ,  H01L21/302 101G
Fターム (13件)：
5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BD01 ,  5F004CA09 ,  5F004DA25 ,  5F031CA02 ,  5F031HA35 ,  5F031NA04 ,  5F031NA20 ,  5F031PA21 ,  5G067AA21 ,  5G067AA42 ,  5G067DA24
引用特許：
審査官引用 (9件)
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