特許
J-GLOBAL ID：200903031535743035

半導体装置の製造方法

発明者：
末永 淳

末永 淳 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002087
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204492
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコンからなるゲート電極の表面荒れやピンの発生を抑制しつつ、ゲート電極を覆う絶縁膜をエッチング除去できるようにする。【解決手段】 半導体基板1上にゲート絶縁膜4を介して多結晶シリコンのゲート電極6を形成し、ゲート電極6の側壁にサイドウォール8を形成し、半導体基板1に不純物をイオン注入して、半導体基板1表層のゲート電極6の両側に拡散層10を形成し、ゲート電極6を覆うように半導体基板1上にスルー絶縁膜9を形成し、ゲート電極6と拡散層10とを外部に露出させるようにエッチング液を用いてスルー絶縁膜9を除去し、外部に露出させたゲート電極6の上面と拡散層10の表層とに高融点金属シリサイド層13を形成する半導体装置の製造方法において、上記ウエットエッチングの際には、スルー絶縁膜9を選択的にエッチングする薬液を含みかつPHが7.6よりも低い溶液をエッチング液として用いる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコンからなるゲート電極を形成し、その後に前記ゲート電極の側壁に絶縁材料からなるサイドウォールを形成する工程と、前記半導体基板に不純物をイオン注入することにより、半導体基板表層でかつ前記ゲート電極の両側に拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うように前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、ウエットエッチングによって、前記ゲート電極と前記拡散層とを外部に露出させるように前記絶縁膜を除去する工程と、外部に露出させたゲート電極の上面と拡散層の表層とに金属シリサイド層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記ウエットエッチングの際には、前記絶縁膜を選択的にエッチングする薬液を含みかつPHが7.6よりも低い溶液をエッチング液として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 21/306 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/308 E ,  H01L 29/78 301 F
引用特許：
審査官引用 (5件)
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