特許

J-GLOBAL ID：200903031555272403

III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板

発明者： 岡久 拓司 ,  川瀬 智博 ,  上村 智喜 ,  西岡 志行 ,  荒川 聡
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300459
公開番号（公開出願番号）：特開2009-126721
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるIII族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を有している。まず、下地基板が準備される(ステップS1)。そして、気相成長法により下地基板上に、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングしたIII族窒化物半導体結晶が成長される(ステップS2)。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下地基板を準備する工程と、 気相成長法により前記下地基板上に、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを備えた、III族窒化物半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/01 ,  C23C16/34

Fターム (33件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203956   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252664   出願人：日本電気株式会社
• 特許第2623466号公報
  
• III族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-031830   出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平3-079769
  
• III族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-300460   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-079770