特許
J-GLOBAL ID：200903031580196690

バリウムウイスカーおよびバリウムウイスカーの製造方法、電界放出型素子および電界放出型素子の製造方法、電子銃および表示装置

発明者：
長谷川 陽二

長谷川 陽二 について

, 
畑田 出穂

畑田 出穂 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180604
公開番号（公開出願番号）：特開2005-015831
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】製造方法が容易で高密度に形成することが可能な電子放出源およびその電子放出源を用いた電界放出型素子、それらを用いた電子銃および表示装置を提供する。【解決手段】バリウムもしくはバリウム化合物を成膜源として用いる蒸着法もしくはスパッタリング法により、基板上に前記バリウムもしくはバリウム化合物を成膜するとともに、成膜された膜中のバリウムからバリウムを成長させて形成したバリウムウイスカーであり、そのバリウムウイスカーを電子放出源に用いた電界放出型素子であり、その電界放出型素子を用いた電子銃、FED等の表示装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
バリウムを主成分とする膜中のバリウムから成長されたことを特徴とするバリウムウイスカー。
IPC (5件)：
C23C14/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/48 ,  H01J31/12
FI (5件)：
C23C14/14 D ,  H01J9/02 B ,  H01J29/48 A ,  H01J31/12 C ,  H01J1/30 F
Fターム (47件)：
4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BB00 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB04 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB10 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04 ,  5C036EH26 ,  5C041AB03 ,  5C041AC19 ,  5C041AC45 ,  5C041AD10 ,  5C041AE01 ,  5C127AA01 ,  5C127AA02 ,  5C127BA02 ,  5C127BA14 ,  5C127BB02 ,  5C127BB15 ,  5C127BB17 ,  5C127BB18 ,  5C127CC03 ,  5C127DD32 ,  5C127EE02 ,  5C127EE15 ,  5C135AA02 ,  5C135AA14 ,  5C135AB02 ,  5C135AB15 ,  5C135AB17 ,  5C135AB18 ,  5C135AC03 ,  5C135GG12 ,  5C135HH02 ,  5C135HH15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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