プラズマCVD装置、非晶質シリコン系薄膜及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390327
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197536
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】パウダーの発生を抑制しつつ高速成膜を達成し、かつ太陽電池等の光半導体デバイスとしても充分に活用できる高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法に用いるプラズマCVD装置を提供することを課題とする。【解決手段】圧力が3Torr以上に設定されるプラズマ反応室と、シラン系ガスと水素ガスを主成分として含む原料ガスをプラズマ反応室に導入するガス導入ラインと、プラズマ反応室内に設けられたアノード及びカソードからなる一対のプラズマ放電電極と、一対のプラズマ放電電極に27MHz以上の周波数でパルス変調された電力を印加するプラズマ放電電源とを備え、アノードが、カソードに対向する面上に基板ホルダーを有し、アノード上の基板ホルダーに載置された基板とカソードとの間隔が1mm〜1cmになるように一対のプラズマ放電電極の間隔が設定されたプラズマCVD装置により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

圧力が3Torr以上に設定されるプラズマ反応室と、シラン系ガスと水素ガスを主成分として含む原料ガスをプラズマ反応室に導入するガス導入ラインと、プラズマ反応室内に設けられたアノード及びカソードからなる一対のプラズマ放電電極と、一対のプラズマ放電電極に27MHz以上の周波数でパルス変調された電力を印加するプラズマ放電電源とを備え、アノードが、カソードに対向する面上に基板ホルダーを有し、アノード上の基板ホルダーに載置された基板とカソードとの間隔が1mm〜1cmになるように一対のプラズマ放電電極の間隔が設定されてなることを特徴とする非晶質シリコン系薄膜を製造するためのプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z , H01L 31/04 V

Fターム (29件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030LA16 , 4M104BB01 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045EH14 , 5F051AA05 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA24 , 5F051CA35 , 5F051CA37

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体薄膜の製造方法及びそれに用いるプラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-029086 出願人：シャープ株式会社
特開平4-211115
プラズマ閉じ込めを使用するプラズマエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-147040 出願人：ラムリサーチコーポレーション

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