特許
J-GLOBAL ID：200903031643707819

誘電体粒子、その製造方法および回路基板

発明者：
時田 浩司

時田 浩司 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (4件)： 前田 均 ,  西出 眞吾 ,  大倉 宏一郎 ,  佐藤 美樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-030104
公開番号（公開出願番号）：特開2007-210811
出願日： 2006年02月07日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】高い比誘電率を有する誘電体粒子、その製造方法、およびその誘電体粒子を用いて製造される回路基板を提供すること。【解決手段】本発明に係る誘電体粒子は、第1誘電体磁器組成物を主成分とする中心部と、第1誘電体磁器組成物とは異なる組成の第2誘電体磁器組成物を主成分とし、中心部を被覆する被覆層とを有する。さらに、本発明に係る誘電体粒子においては、被覆層が、中心部に対してエピタキシャル成長していることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1誘電体磁器組成物を主成分とする中心部と、 前記第1誘電体磁器組成物とは異なる組成の第2誘電体磁器組成物を主成分とし、前記中心部を被覆する被覆層とを有し、 前記被覆層が、前記中心部に対してエピタキシャル成長していることを特徴とする誘電体粒子。
IPC (1件)：
C01G 23/00
FI (1件)：
C01G23/00 C
Fターム (6件)：
4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CB09 ,  4G047CC02 ,  4G047CD04 ,  4G047CD08
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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