特許
J-GLOBAL ID:200903031648178539
アンチヒューズ修理のためのオンチッププログラム電圧発生器
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 淳 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-509349
公開番号(公開出願番号):特表平11-511286
出願日: 1996年08月07日
公開日(公表日): 1999年09月28日
要約:
【要約】アンチヒューズをプログラミングするための適当な電圧を発生するためにDRAMで使用される電圧発生器が提供される。この電圧発生器は、アンチヒューズをプログラミングするのに必要な高電圧を発生するために、充電ポンプを使用して実施されることが好ましい。
請求項(抜粋):
ダイナミックRAMであって、 プログラムされるアンチヒューズ要素を有し、 アンチヒューズ要素をプログラムするのに十分なパルスを発生する、前記ダイナミックRAMのパルス発生回路を有する、 ダイナミックRAM。
IPC (2件):
G11C 29/00 603
, G11C 11/401
FI (2件):
G11C 29/00 603 L
, G11C 11/34 371 D
引用特許:
審査官引用 (4件)
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集積回路内のヒューズを飛ばす方法及び回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-312647
出願人:ジェムプリュスカードアンテルナショナルソシエテアノニム
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-055350
出願人:三菱電機株式会社
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定電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-298800
出願人:日本電気株式会社
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-206457
出願人:株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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