特許
J-GLOBAL ID：200903031687113452

半導体装置

発明者：
梶原 淳志

梶原 淳志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032280
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232189
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 導電部材の接合部分での回路基板のセラミックス表面にダメージを与える虞がなく、装置の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 窒化アルミニウム製の回路基板11と、この回路基板11の表面に銀・チタニウムを主成分とする金属ろう材14を用いた活性金属法によって接合した銅製でなる導電層12と、この導電層12の表面に40kHzの超音波振動を用いた超音波溶接によって接合された銅製の導電部材15とを具備している。
請求項（抜粋）：
セラミック製の回路基板と、この回路基板の表面に金属ろう材で接合した金属導電材料でなる導電層と、この導電層の表面に超音波エネルギを加えて接合した金属導電材料でなる導電部材とを具備していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/32 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L 23/32 D ,  H01L 25/04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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