特許
J-GLOBAL ID：200903031748632628

液晶表示装置

発明者：
宮島 康志

宮島 康志 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144253
公開番号（公開出願番号）：特開2006-011398
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】高開口率かつ低消費電力の反射型および半透過型LCDを実現する。【解決手段】第1基板40は、画素毎に設けられたスイッチ素子であるTFTを備える。TFTの能動層42と共通層であるシリコン薄膜43とゲート絶縁膜44を介して積層された第1金属層46をパターン化した補助容量ラインとにより補助容量CSCを構成する。補助容量ライン26を覆うように層間絶縁膜48および平坦化絶縁膜54が順に積層される。平坦化絶縁膜54の上に反射層56および画素電極28が設けられる。これにより、反射層56の形成された反射型領域および反射層56の形成されていない透過型領域において、補助容量ラインは画素の開口の妨げとならない。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
複数の画素がマトリクス配置され、前記各画素毎にその画素における液晶に対する印加電圧を制御するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、 行方向に複数延在し、ゲート電圧が印加されるゲートラインと、 列方向に複数延在し、データ信号が印加されるデータラインと、 前記ゲートラインと前記データラインとの交点に対応して各画素毎に配置されるスイッチング素子と、 各画素毎に設けられ、前記スイッチング素子に接続される画素電極と、 前記画素電極が設けられる領域の少なくとも一部に設けられ前記液晶層を通過してきた光を反射する反射層と、 前記画素の各行に対してそれぞれ設けられる第1および第2の補助容量ラインと、 前記補助容量ラインに対し補助容量電極を絶縁膜を介し重畳することで形成される補助容量と、 を有し、 前記第1及び第2の補助容量ラインは、前記各画素において前記反射層の形成領域内であって液晶層が位置する側に対し反対の側を通過するように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/133 ,  G02F 1/136
FI (2件)：
G02F1/1335 520 ,  G02F1/1368
Fターム (27件)：
2H091FA02Y ,  2H091FA14Y ,  2H091FA35Y ,  2H091GA02 ,  2H091GA06 ,  2H091GA07 ,  2H091GA13 ,  2H091LA30 ,  2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB11 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB52 ,  2H092JB56 ,  2H092JB58 ,  2H092MA17 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  2H092PA02 ,  2H092PA08 ,  2H092PA12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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