特許

J-GLOBAL ID：200903031824204886

窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者： 谷沢 公二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011421
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216432
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【目的】n型コンタクト層へのn型不純物のドープ量を多くして、Vfおよび閾値を低下させ、さらに発光効率の高い窒化物半導体素子を提供する。【構成】単層または多層からなる量子井戸構造の活性層に接してn側に、アンドープの窒化物半導体を5000オングストローム以下で形成し、同じく活性層に接してp側に、アンドープの窒化物半導体を1000オングストローム以下の膜厚で形成する。

請求項（抜粋）：

n型GaNを含んでなるn型コンタクト層と、In、Gaを含み量子井戸を有する活性層と、p型AlGaNを含んでなるp型クラッド層と、p型GaNを含んでなるp型コンタクト層とを順に有する窒化物半導体素子において、前記n型コンタクト層と活性層との間にアンドープの第1の窒化物半導体層が形成され、さらに前記p型クラッド層と活性層との間にアンドープの第2の窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/34 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 676 ,  H01S 3/18 677

Fターム (50件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB13 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045EB15 ,  5F045HA16 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA07 ,  5F073DA21 ,  5F073EA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3族窒化物化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-175574   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-107834   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-364012   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290218   出願人：日亜化学工業株式会社