特許
J-GLOBAL ID：200903035534975353
3族窒化物化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175574
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004210
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】青色発光素子の発光強度の増加及び発光効率の向上【解決手段】バッファ層2の上に、膜厚約0.6 μm のSi濃度2 ×1018/cm3、電子濃度2×1018/cm3のGaN のn層(第1低不純物濃度層)31を形成した後、その上に、順次、膜厚約4.0 μm、Si濃度4 ×1018/cm3、電子濃度2 ×1018/cm3のGaN の高キャリア濃度n+ 層(高不純物濃度層)3、膜厚約0.5 μmのSi濃度1 ×1018/cm3、電子濃度5 ×1017/cm3のGaN のn層(第2低不純物濃度層)4、膜厚約100 nmのIn0.20Ga0.80N の発光層5,Al0.08Ga0.92N のp伝導型のクラッド層71、GaN の第1コンタクト層72、GaN のp+ 伝導形の第2コンタクト層73を形成した。n層(第1低不純物濃度層)31により発光層5の結晶性を向上でき、且つ、n+ 層3にコンタクト電極を形成したので抵抗が小さく、駆動電圧の低下、発光効率の向上が達成できた。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された3族窒化物半導体から成るn層、発光層、p層とを有する発光素子において、前記n層、前記p層のうち前記基板に近い方に形成される層を、前記基板に近い方から、不純物無添加を含む低濃度に不純物を添加した第1低不純物濃度層と、その第1低不純物濃度層の上に形成され、高濃度に不純物を添加した高不純物濃度層とを有する構成とし、前記高不純物濃度層に対してコンタクト電極を形成したことを特徴とする発光素子。
引用特許：
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